2025-05-29
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“随着半导体技术的提升，以SiC和GaN为代表第三代半导体质料越来越受到关注。与传统硅工艺相比，SiC和GaN等宽禁带半导体质料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。
随着半导体技术的提升，以SiC和GaN为代表第三代半导体质料越来越受到关注。与传统硅工艺相比，SiC和GaN等宽禁带半导体质料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。许多传统半导体巨头将其视作未来功率器件新战场，近年来纷纷加码该领域，这其中包罗领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司。
近日，UnitedSiC推出了基于其第四代SiC FET先进技术平台的四款器件，让其强大的业界领先 SiC FET 产物组合更趋完善。该产物的性能取得了突破性生长，旨在加速在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心 PFC 直流转换、可再生能源和储能应用中接纳宽带隙器件。
这四款新型SiC FET包罗18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，而且其单元面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都获得降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅逾越了现有SiC MOSFET竞争产物的性能（无论是在25℃低温照旧125℃高温下事情），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有精彩的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。
据UnitedSiC公司FAE经理Richard Chen介绍，新产物是市面上首家做到750V的SIC FETs，同类产物电压一般为650V或650V以下，对于电动汽车等领域要求的400/500V总线电压应用，新产物可以为设计人员提供更多的余量并淘汰其设计约束。
同时，新产物由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动，可以将他们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。
UnitedSiC的产物应用领域广泛，从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，新产物可以资助各行各业的工程师解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的种种挑战。
据悉，UnitedSiC将在未来扩大产物组合，在性价比、散热功率和设计余量等方面实现进一步提高，以资助工程师加速创新。
UnitedSiC与中国客户的相助早在2016年初就已经开展，险些笼罩了所有领域，包罗电动汽车的OBC，DC/DC，驱动；快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能，储能以及高压断路器等，销售和技术支持网络笼罩全国。据悉，UnitedSiC很快会在深圳建设应用实验室，进一步优化对客户的支持。
主 题：英飞凌智能穿着技术革新：PSOC Edge MCU & Wi-Fi6 CYW555XX系列方案解析 时 间：2025.05.13 公 司：英飞凌&增你強-leyu.乐鱼
