首页 新闻 PI推出市场上唯一一款USB PD单芯片方案InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD 系列反激式开关IC “随着智能产物应用场景越来越多，小体积高功率密度的快充电源也备受各人青睐，USB PD是目前主流的快充协议之一，可实现更高的电压和电流。

随着智能产物应用场景越来越多，小体积高功率密度的快充电源也备受各人青睐，USB PD是目前主流的快充协议之一，可实现更高的电压和电流。自PD充电协议普及以来，大量PD充电器迅速上市。那工程师如作甚电源选择合适的IC呢？深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations(PI)近日宣布推出其InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD系列反激式开关IC，该方案是工程师寻求极致充电器功率密度的最佳选择。

新的InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD IC 有极高的集成度和效率，是市场上唯一一个单芯片的方案。继续了InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3系列的卓越性能，支持USB Type-C、USB PD和PPS适配器应用。只需一个单芯片直接和外部USB Type-c通讯。内部集成了USB Type-C和PD控制器、多模式准谐振反激式控制器、次级侧检测电路、FluxLink 隔离式数字反馈电路和同步整流驱动器，大大减化了BOM。另外对于功率较大的需求，PI 还集成了Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN 开关。InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD切合安规的宽爬电距离InSOP -24D封装(MSL 3) 。

Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations 公司资深技术培训经理阎金光先生向媒体介绍了InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD的亮点之处。

高度集成，减化BOM

InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD与传统方案差异的是，该方案只有一个单芯片IC，通过CC1和CC2与Type-c通讯，内部集成USB Type-C和PD两个电源控制器，集成数字电路微控制器，另外同时兼顾功率器件，内部集成高压mos管。InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD IC可将BOM元件数淘汰到传统设计的一半。该方案在次级侧集成的微处置惩罚器，其功效有两个，一是负载类型的检测，通过CC1和CC2对负载的判定，二是E-Marker的电缆检测；内部还集成VBUS/VCONN开关控制，集成的VCONN供电可为检测开关供电；支持PPS，可编辑电源，可以对输出电压和电流进行精确的设定,并提供OVP掩护。

一个控制器控制两个功率开关：InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD的低级侧集成了功率开关，对于功率较大的需求，PI还可以提供GaN开关。同以往的InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3器件一样，提供多模式QR准谐振事情方式和CCM事情方式。PI认为CCM事情方式在反激电源应用中有须要进行优化。其难点之在于，在这种事情方式下，低级侧的功率开关和次级侧的同步整流开关不能同时开通，否则电源会炸掉。PI接纳，以一个控制器，控制两个功率开关，保证了两个控制器不会泛起同时开通的情况。

内部集成负载开关驱动，直接提供负载掩护：InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD内部集成负载开关驱动，同时还提供了一些放电的路径，一旦负载被拔掉后，电容也会通过内部的电路释放掉，保证输出端始终是一个宁静的电压。

温度检测输入：该方案提供用于NTC电阻的专用温度检测引脚，可以凭据CC1或CC2的负载指令来设定输出电压，规模在3-24V，每档位为10mV，传统上PD的尺度在20mV/档位。恒流控制：最大输出数值的20%-100%之间可调。电流档位：最大输出数值的0.8%。阎金光先生进一步解释，当以5V电压给手机充电时，其实真正到达电池两端的电压不足5V。经过DC/DC降压，获得3.6V或3.7V，此时会带来功率损耗，因此会造成手机发烫。 PI的方案中可以通过指令使AC/DC输出端直接做到3.6V或3.7V，如此省去了DC/DC，不仅可以降低手机内部的功耗，降低温升，同时还可以提升充电效率，这也是PD控制协议泛起的初衷。

相比传统方案，InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD在元件使用上要淘汰一半，以60W USB PD适配器为例，InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD总元件用约为60个，而其它3芯片方案要使用118个，4芯片方案需要124个，而自家的InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch4-CZ ClampZero 也需要79个元件。

PI提供以下两个参考设计，DER-837提供45W USB 3.0+PPS，使用元件数54个，空载输入功耗小于20mW,相较于DOE6和CoC v5 2016尺度横跨2.5%以上的裕量；RDR-838提供60W USB 3.0+PPS，使用元件数61个，空载输入功耗小于35mW,相较于DOE6和CoC v5 2016尺度横跨2%以上的裕量；

PI USB PD生长历程

早在2015年PI就推出了其在USB PD上的第一款产物-InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch，这也是市场上首次接纳FluxLink技术，该技术在低级和次级侧利用两个线圈耦合来通报信息，无需光耦器，不光可以节省空间还可提高功率密度；

2017年InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3面世，该器件在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能，将电源损耗大幅降低25%，而且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源；

2019年InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-Pro宣布,可极大简化全数控高效率电源的开发和制造，尤其是接纳紧凑外壳的电源。通过I C接口，可实现输出电压及电流的动态控制，而且提供其他可动态设定的掩护功效。同时针对大功率的输出，PI还集成por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫erGAN开关；

2020年，PI为应对市场对电源体积和更高功率密度的要求，推出MinE-CAP，降低大电容所占的空间和尺寸，有利于在不改变事情频率的情况下，将电源体积缩小；

2021年宣布InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch4-CZ，是一款有源钳位IC，与ClampZero两个IC搭配事情，进一步缩小电源体积。

本次宣布InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD是高集成度充电器解决方案，整合了USB PD、PPS、Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN和FluxLink技术，可最大限度地提高效率，显著淘汰适配器和充电器的元件数量。

PI在推出第一款USB PD后，一直致力于提供更大的输出功率，同时实现更高的功率密度。在体积上也追赶电子产物对小型化的需求，做到高水平的集成度，并使用最少的元件。InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-PD IC同样具备全面的掩护功效，包罗输入电压监测、精确的电压缓升/缓降和过压掩护，以及具有可对故障响应单独设定的输出过压和欠压故障检测。