“随着氮化镓半导体器件技术的不停进步，氮化镓反激式开关IC在未来几年中市场需求将会连续增长。这主要得益于其具有更高的功率密度、更高的效率和更小的体积优势。而在汽车和工业领域，对氮化镓产物的认同度也在不停增加。同时，随着制造技术的进一步成熟，在成本和可靠性上也获得了大大改善，获得了越来越多设计工程师的青睐。

随着氮化镓半导体器件技术的不停进步，氮化镓反激式开关IC在未来几年中市场需求将会连续增长。这主要得益于其具有更高的功率密度、更高的效率和更小的体积优势。而在汽车和工业领域，对氮化镓产物的认同度也在不停增加。同时，随着制造技术的进一步成熟，在成本和可靠性上也获得了大大改善，获得了越来越多设计工程师的青睐。日前，深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations 推出900V氮化镓反激式开关IC，新款Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch IC面向工业应用和400V系统汽车电源，输出功率可高达100W，效率凌驾93%，相比上一代750V氮化镓产物增加了更多的宁静裕量以及耐用性。对此PI资深技术培训经理阎金光做了详细的解读。

需求增长来源于市场的驱动力日益增加的功率需求从汽车的生长趋势来看，汽车的高度智能化和电动化的生长，车载电子系统的处置惩罚能力需求和功耗也在不停增加。例如，车联网、自动驾驶、车内娱乐系统等都需要高性能的微处置惩罚器和大容量的电池来支持。值得一提的是在EV电动汽车的设计趋势中，为了减轻车重、提高电池寿命和节省成本，越来越多的车型接纳高压动力母线电池给内部设备供电，其目的是减小甚至取消12V铅酸电池组。这种功率架构的改变，增加了对车内辅助供电单元（APU）的使用需求。即需要更多的电源能够从高压动力电池变换至低压输出，给车内的低压负载供电。从工业生长趋势来看：智能制造、物联网等工业设备对于处置惩罚能力和通讯能力的要求也在不停提高，这些都需要更高功率的电子系统支持。从IoT生长趋势来看：越来越多的设备需要进行联网通信，这些无线通信模块的加入使得功率治理变得越发庞大，同时也需要更高功率的处置惩罚能力来支持设备之间的通讯。负载规模内更高的效率从负载效率上看，要求整个负载规模内，能够具备极高的效率，例如在家电应用中，待机输出功率是一个重要的指标。PI有其奇特的封装，可简化散热无需散热片，所带来的利益是减轻重量，缩小电源的体积，同时提高系统可靠性，从而实现小尺寸电源设计。供电电压的不停提升随着电动汽车的普及，功率架构也在适应市场需求的变化，这就需要不停提升供电电压水平。PI此次推出了900V氮化镓产物，可轻松应对电动汽车功率架构变化所带来的挑战。纵然面对目前主流的400V动力母线车型，也可以大幅度地增加电源中功率开关的电压裕量。此外，在室外照明方面，有些地方接纳工业或三相电来供电路灯照明。再者，世界上另有一些国家或地域的供电电压并不稳定，因此更高耐压功率开关产物也便于适应这类更高的输入电压规模的使用需求。900V InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-EP和InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ优势以上三大趋势的驱动为900V氮化镓反激式开关IC带来极大的生长空间，而PI 拥有高度集成的反激方案，通过功率器件及其他与数字控制电路相结合，为该公司产物带来差异化的竞争优势。此次宣布的900V氮化镓器件为InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3 系列反激式开关IC。在单一封装当中包罗低级及次级电路，以及快速的数字隔离方式–FluxLink ，可使IC封装位于安规隔离带上，从而提高效率并省去光耦器。最终实现输出电压及电流的稳定性。新款900V InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-EP和InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ恒压/恒流离线反激式开关IC接纳同步整流、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)的反激式控制器。InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-EP IC能够在没有散热片的情况下提供高达100W的输出功率。InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-EP器件集成了多项掩护特性，包罗输入过压及欠压掩护、输出过压及过流限制以及过温关断。该系列器件提供尺度输出功率和峰值输出功率选项。汽车级InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ器件可以从400V母线提供100W的输出功率，而且具备与800V电动汽车系统所用的广受接待的1700V碳化硅InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ IC类似的性能和掩护功效。900V 氮化镓器件扩展电压规模并将效率提升1.5%PI在低级功率开关的选取上，基于性能和成本的考量，凭据差异的输入电压，来选择差异的质料，包罗硅、碳化硅以及氮化镓。对于低功率、低频率应用，硅器件仍然是较好的选择；对于高功率、高频率、高压应用，碳化硅以及氮化镓更为合适。PI的所有系列产物当中，硅器件主要有650V，725V，900V。在售的氮化镓器件有之前宣布的750V，耐压更高些的器件包罗1700V的碳化硅开关。此次宣布的900V氮化镓产物与同电压的硅器件相比，效率更高，功率也更大。与750V氮化镓产物相比则增加了电压裕量及耐用性。900V Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN扩展了电压规模且将效率提升了1.5%，这相当于热损耗量淘汰20%。对于缩小电源体积减小PCB的占板空间均有很大的资助。PI以60r:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫的电源为例做了一个温升的测试，在400V母线电压情况下，宽禁带器件大大降低了器件温升。数据显示，725V硅开关IC的温度最高达100度，1700V碳化硅开关的IC温度会降到89度，而900V Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN开关IC的温度可降至78度。而器件自己的温升，会决定该器件是否能在恶劣条件下进行正常事情。

InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ器件简化了EV的功率架构InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ 是经过汽车认证的产物。该系列支持所有EV系统电压并提供高达100W的供电解决方案。在电动汽车应用上，铅酸电池被广泛使用，但它们的能量密度和功率密度较低，而且需要更频繁地进行维护和更换。目前ballbet贝博看到了一个趋势，即把12V铅酸电池去掉，或者将12V电池的体积缩小，有利于淘汰整车的重量，节省空间同时降低成本。而这些都需要使用更多将高压转换至低压的辅助供电单元，来支持原来12V电池供电的低压负载。对于这类辅助供电单元的应用，相较于传统的低级稳压方案，InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ可以提供更高的功率密度和效率，从而延长电动汽车的续航里程并降低充电时间。使用900V Por:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN技术的电动汽车，由于其重量的减轻，意味着可以更快地加速和爬坡。同时，该技术也可以提供更高的可靠性和稳定性，从而降低电动汽车的维护成本和风险。

InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-AQ系列产物

PI还展示了一款高效的GaN 100W汽车用EPS电源，所有器件均接纳车规器件，可实现超薄尺寸，元器件数量约80个左右。30到500V DC输入。在50%以上负载时提供高达93%的效率，在10%负载时效率大于85%，而一般的PSR（低级稳压）方案，效率仅有70%左右。PI次级反馈的隔离电源方案接纳FluxLink的方式，能够满足增强绝缘的要求。

InnoSr:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾??��?烊所?炎m豩=2(?r�蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?��%坖D覑眤�邈荟镸(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫itch3-EP系列产物支持全球规模的工业及消费类应用

随着节能环保理念的普及和各行各业对高效、低耗能产物的需求日益增长，PI 900V氮化镓反激式开关IC的推出无疑将为行业注入新的活力。公司将继续致力于为客户提供更高性能、更低损耗、更可靠的解决方案，推动技术创新，配合打造越发美好的未来。